高产率大长径比金纳米棒及其制备方法[发明专利]

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专利名称：高产率大长径比金纳米棒及其制备方法专利类型：发明专利发明人：肖蔓达,邵磊,王建方申请号：CN201210051218.0申请日：20120301公开号：CN102962469A公开日：20130313

摘要：本发明申请提供一种高产率大长径比金纳米棒及其制备方法，在传统的种子生长法的生长溶液中添加少量具有较大头部基团的十六烷基铵类阳离子表面活性剂成分，该成分的加入可以在生长过程中部分取代吸附在金棒表面的十六烷基三甲基溴化铵双层结构，其较大的头部基团可以更加紧密的包裹住金纳米棒，从而有效抑制金棒裸露的侧面与生长溶液间的物质交换，而金棒顶点由于具有较大的曲率，其生长受此包覆作用的影响较小，净结果是得到细长的具有大长径比的金纳米棒；对于已合成的金纳米棒的纵向表面等离子体共振波长的连续调节，本发明申请采用四氯金酸作为氧化剂，使金纳米棒逐步变短而保持纳米棒直径不变。

申请人：纳米籽有限公司

地址：中国大埔太和中心一座五楼H室

国籍：CN

代理机构：深圳市千纳专利代理有限公司

代理人：胡坚

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